TK28N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Artikelnummer
TK28N65W,S1F
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.6mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11732 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK28N65W,S1F
TK28N65W,S1F Elektroniska komponenter
TK28N65W,S1F Försäljning
TK28N65W,S1F Leverantör
TK28N65W,S1F Distributör
TK28N65W,S1F Datatabell
TK28N65W,S1F Foton
TK28N65W,S1F Pris
TK28N65W,S1F Erbjudande
TK28N65W,S1F Lägsta pris
TK28N65W,S1F Sök
TK28N65W,S1F Köp av
TK28N65W,S1F Chip