TK18E10K3,S1X(S
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
Artikelnummer
TK18E10K3,S1X(S
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6688 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK18E10K3,S1X(S
TK18E10K3,S1X(S Elektroniska komponenter
TK18E10K3,S1X(S Försäljning
TK18E10K3,S1X(S Leverantör
TK18E10K3,S1X(S Distributör
TK18E10K3,S1X(S Datatabell
TK18E10K3,S1X(S Foton
TK18E10K3,S1X(S Pris
TK18E10K3,S1X(S Erbjudande
TK18E10K3,S1X(S Lägsta pris
TK18E10K3,S1X(S Sök
TK18E10K3,S1X(S Köp av
TK18E10K3,S1X(S Chip