TK160F10N1L,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Artikelnummer
TK160F10N1L,LQ
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
175°C
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-220SM(W)
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10100pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22416 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK160F10N1L,LQ
TK160F10N1L,LQ Elektroniska komponenter
TK160F10N1L,LQ Försäljning
TK160F10N1L,LQ Leverantör
TK160F10N1L,LQ Distributör
TK160F10N1L,LQ Datatabell
TK160F10N1L,LQ Foton
TK160F10N1L,LQ Pris
TK160F10N1L,LQ Erbjudande
TK160F10N1L,LQ Lägsta pris
TK160F10N1L,LQ Sök
TK160F10N1L,LQ Köp av
TK160F10N1L,LQ Chip