Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
TK12A50E,S4X

TK12A50E,S4X

MOSFET N-CH 500V TO220SIS
Artikelnummer
TK12A50E,S4X
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220SIS
Effektförlust (max)
45W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52740 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av TK12A50E,S4X
TK12A50E,S4X Elektroniska komponenter
TK12A50E,S4X Försäljning
TK12A50E,S4X Leverantör
TK12A50E,S4X Distributör
TK12A50E,S4X Datatabell
TK12A50E,S4X Foton
TK12A50E,S4X Pris
TK12A50E,S4X Erbjudande
TK12A50E,S4X Lägsta pris
TK12A50E,S4X Sök
TK12A50E,S4X Köp av
TK12A50E,S4X Chip