köpa Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SSM6K217FE,LF

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Artikelnummer

SSM6K217FE,LF

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

U-MOSVII-H

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

SOT-563, SOT-666

Leverantörsenhetspaket

ES6

Effektförlust (max)

500mW (Ta)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

40V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

195 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.2V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 8V

Vgs (max)

±12V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 40352 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter