köpa Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Artikelnummer

SSM6H19NU,LF

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

U-MOSVII-H

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

6-UDFN Exposed Pad

Leverantörsenhetspaket

6-UDFN (2x2)

Effektförlust (max)

1W (Ta)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

40V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 8V

Vgs (max)

±12V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 22456 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SSM6322ACPZ-R2