köpa Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

SSM6J512NU,LF

MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Artikelnummer

SSM6J512NU,LF

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

U-MOSVII

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

6-WDFN Exposed Pad

Leverantörsenhetspaket

6-UDFNB (2x2)

Effektförlust (max)

1.25W (Ta)

FET typ

P-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

12V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

16.2 mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 6V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 8V

Vgs (max)

±10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 8603 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter