köpa Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SSM6J216FE,LF

MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Artikelnummer

SSM6J216FE,LF

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

U-MOSVI

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

SOT-563, SOT-666

Leverantörsenhetspaket

ES6

Effektförlust (max)

700mW (Ta)

FET typ

P-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

12V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4.8A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

12.7nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 12V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.5V, 4.5V

Vgs (max)

±8V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 52904 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SSM6322ACPZ-R2