köpa Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

SSM6J212FE,LF

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Artikelnummer

SSM6J212FE,LF

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

U-MOSVI

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

SOT-563, SOT-666

Leverantörsenhetspaket

ES6

Effektförlust (max)

500mW (Ta)

FET typ

P-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

40.7 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

14.1nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 10V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.5V, 4.5V

Vgs (max)

±8V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 14319 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter