Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Artikelnummer
TH58BYG2S3HBAI6
Tillverkare/varumärke
Serier
Benand™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tray
Teknologi
FLASH - NAND (SLC)
Driftstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
67-VFBGA
Leverantörsenhetspaket
67-VFBGA (6.5x8)
Spänningskälla
1.7 V ~ 1.95 V
Minnestyp
Non-Volatile
Minnesstorlek
4Gb (512M x 8)
Åtkomsttid
25ns
Klockfrekvens
-
Minnesformat
Flash
Skriv cykeltid - Word, Sidor
25ns
Minnesgränssnitt
Parallel
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16802 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 Elektroniska komponenter
TH58BYG2S3HBAI6 Försäljning
TH58BYG2S3HBAI6 Leverantör
TH58BYG2S3HBAI6 Distributör
TH58BYG2S3HBAI6 Datatabell
TH58BYG2S3HBAI6 Foton
TH58BYG2S3HBAI6 Pris
TH58BYG2S3HBAI6 Erbjudande
TH58BYG2S3HBAI6 Lägsta pris
TH58BYG2S3HBAI6 Sök
TH58BYG2S3HBAI6 Köp av
TH58BYG2S3HBAI6 Chip