TPS1120DR
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Artikelnummer
TPS1120DR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
840mW
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
FET typ
2 P-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
15V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.17A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28611 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPS1120DR
TPS1120DR Elektroniska komponenter
TPS1120DR Försäljning
TPS1120DR Leverantör
TPS1120DR Distributör
TPS1120DR Datatabell
TPS1120DR Foton
TPS1120DR Pris
TPS1120DR Erbjudande
TPS1120DR Lägsta pris
TPS1120DR Sök
TPS1120DR Köp av
TPS1120DR Chip