TPS1100D
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Artikelnummer
TPS1100D
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
791mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
15V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 10V
Vgs (max)
+2V, -15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25698 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPS1100D
TPS1100D Elektroniska komponenter
TPS1100D Försäljning
TPS1100D Leverantör
TPS1100D Distributör
TPS1100D Datatabell
TPS1100D Foton
TPS1100D Pris
TPS1100D Erbjudande
TPS1100D Lägsta pris
TPS1100D Sök
TPS1100D Köp av
TPS1100D Chip