TSM9ND50CI
500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Artikelnummer
TSM9ND50CI
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
ITO-220
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1116pF @ 50V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42972 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM9ND50CI
TSM9ND50CI Elektroniska komponenter
TSM9ND50CI Försäljning
TSM9ND50CI Leverantör
TSM9ND50CI Distributör
TSM9ND50CI Datatabell
TSM9ND50CI Foton
TSM9ND50CI Pris
TSM9ND50CI Erbjudande
TSM9ND50CI Lägsta pris
TSM9ND50CI Sök
TSM9ND50CI Köp av
TSM9ND50CI Chip