TSM900N06CH X0G
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Artikelnummer
TSM900N06CH X0G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
TO-251 (IPAK)
Effektförlust (max)
25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51494 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM900N06CH X0G
TSM900N06CH X0G Elektroniska komponenter
TSM900N06CH X0G Försäljning
TSM900N06CH X0G Leverantör
TSM900N06CH X0G Distributör
TSM900N06CH X0G Datatabell
TSM900N06CH X0G Foton
TSM900N06CH X0G Pris
TSM900N06CH X0G Erbjudande
TSM900N06CH X0G Lägsta pris
TSM900N06CH X0G Sök
TSM900N06CH X0G Köp av
TSM900N06CH X0G Chip