TSM80N1R2CL C0G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
Artikelnummer
TSM80N1R2CL C0G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Short Leads, I²Pak
Leverantörsenhetspaket
TO-262S (I2PAK)
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
685pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14157 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM80N1R2CL C0G
TSM80N1R2CL C0G Elektroniska komponenter
TSM80N1R2CL C0G Försäljning
TSM80N1R2CL C0G Leverantör
TSM80N1R2CL C0G Distributör
TSM80N1R2CL C0G Datatabell
TSM80N1R2CL C0G Foton
TSM80N1R2CL C0G Pris
TSM80N1R2CL C0G Erbjudande
TSM80N1R2CL C0G Lägsta pris
TSM80N1R2CL C0G Sök
TSM80N1R2CL C0G Köp av
TSM80N1R2CL C0G Chip