TSM4ND60CI
600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Artikelnummer
TSM4ND60CI
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
ITO-220
Effektförlust (max)
41.6W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
582pF @ 50V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47245 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM4ND60CI
TSM4ND60CI Elektroniska komponenter
TSM4ND60CI Försäljning
TSM4ND60CI Leverantör
TSM4ND60CI Distributör
TSM4ND60CI Datatabell
TSM4ND60CI Foton
TSM4ND60CI Pris
TSM4ND60CI Erbjudande
TSM4ND60CI Lägsta pris
TSM4ND60CI Sök
TSM4ND60CI Köp av
TSM4ND60CI Chip