TSM4435BCS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Artikelnummer
TSM4435BCS RLG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOP
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11849 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM4435BCS RLG
TSM4435BCS RLG Elektroniska komponenter
TSM4435BCS RLG Försäljning
TSM4435BCS RLG Leverantör
TSM4435BCS RLG Distributör
TSM4435BCS RLG Datatabell
TSM4435BCS RLG Foton
TSM4435BCS RLG Pris
TSM4435BCS RLG Erbjudande
TSM4435BCS RLG Lägsta pris
TSM4435BCS RLG Sök
TSM4435BCS RLG Köp av
TSM4435BCS RLG Chip