TSM4NB60CH C5G
600V N CHANNEL MOSFET
Artikelnummer
TSM4NB60CH C5G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251 (IPAK)
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43850 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM4NB60CH C5G
TSM4NB60CH C5G Elektroniska komponenter
TSM4NB60CH C5G Försäljning
TSM4NB60CH C5G Leverantör
TSM4NB60CH C5G Distributör
TSM4NB60CH C5G Datatabell
TSM4NB60CH C5G Foton
TSM4NB60CH C5G Pris
TSM4NB60CH C5G Erbjudande
TSM4NB60CH C5G Lägsta pris
TSM4NB60CH C5G Sök
TSM4NB60CH C5G Köp av
TSM4NB60CH C5G Chip