STW70N60DM2
MOSFET N-CH 600V 66A
Artikelnummer
STW70N60DM2
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ DM2
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
446W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
121nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5508pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19119 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW70N60DM2
STW70N60DM2 Elektroniska komponenter
STW70N60DM2 Försäljning
STW70N60DM2 Leverantör
STW70N60DM2 Distributör
STW70N60DM2 Datatabell
STW70N60DM2 Foton
STW70N60DM2 Pris
STW70N60DM2 Erbjudande
STW70N60DM2 Lägsta pris
STW70N60DM2 Sök
STW70N60DM2 Köp av
STW70N60DM2 Chip