STW40N65M2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Artikelnummer
STW40N65M2
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ M2
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2355pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18807 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW40N65M2
STW40N65M2 Elektroniska komponenter
STW40N65M2 Försäljning
STW40N65M2 Leverantör
STW40N65M2 Distributör
STW40N65M2 Datatabell
STW40N65M2 Foton
STW40N65M2 Pris
STW40N65M2 Erbjudande
STW40N65M2 Lägsta pris
STW40N65M2 Sök
STW40N65M2 Köp av
STW40N65M2 Chip