STW30NM50N
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
Artikelnummer
STW30NM50N
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ II
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2740pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53844 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW30NM50N
STW30NM50N Elektroniska komponenter
STW30NM50N Försäljning
STW30NM50N Leverantör
STW30NM50N Distributör
STW30NM50N Datatabell
STW30NM50N Foton
STW30NM50N Pris
STW30NM50N Erbjudande
STW30NM50N Lägsta pris
STW30NM50N Sök
STW30NM50N Köp av
STW30NM50N Chip