STW20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Artikelnummer
STW20N65M5
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ V
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
130W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1345pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34259 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW20N65M5
STW20N65M5 Elektroniska komponenter
STW20N65M5 Försäljning
STW20N65M5 Leverantör
STW20N65M5 Distributör
STW20N65M5 Datatabell
STW20N65M5 Foton
STW20N65M5 Pris
STW20N65M5 Erbjudande
STW20N65M5 Lägsta pris
STW20N65M5 Sök
STW20N65M5 Köp av
STW20N65M5 Chip