STW10NK80Z
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Artikelnummer
STW10NK80Z
Tillverkare/varumärke
Serier
SuperMESH™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
160W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36583 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW10NK80Z
STW10NK80Z Elektroniska komponenter
STW10NK80Z Försäljning
STW10NK80Z Leverantör
STW10NK80Z Distributör
STW10NK80Z Datatabell
STW10NK80Z Foton
STW10NK80Z Pris
STW10NK80Z Erbjudande
STW10NK80Z Lägsta pris
STW10NK80Z Sök
STW10NK80Z Köp av
STW10NK80Z Chip