STV200N55F3
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Artikelnummer
STV200N55F3
Tillverkare/varumärke
Serier
STripFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Leverantörsenhetspaket
10-PowerSO
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5567 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STV200N55F3
STV200N55F3 Elektroniska komponenter
STV200N55F3 Försäljning
STV200N55F3 Leverantör
STV200N55F3 Distributör
STV200N55F3 Datatabell
STV200N55F3 Foton
STV200N55F3 Pris
STV200N55F3 Erbjudande
STV200N55F3 Lägsta pris
STV200N55F3 Sök
STV200N55F3 Köp av
STV200N55F3 Chip