STU6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Artikelnummer
STU6N65K3
Tillverkare/varumärke
Serier
SuperMESH3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49604 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STU6N65K3
STU6N65K3 Elektroniska komponenter
STU6N65K3 Försäljning
STU6N65K3 Leverantör
STU6N65K3 Distributör
STU6N65K3 Datatabell
STU6N65K3 Foton
STU6N65K3 Pris
STU6N65K3 Erbjudande
STU6N65K3 Lägsta pris
STU6N65K3 Sök
STU6N65K3 Köp av
STU6N65K3 Chip