STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Artikelnummer
STS20N3LLH6
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VI
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49220 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STS20N3LLH6
STS20N3LLH6 Elektroniska komponenter
STS20N3LLH6 Försäljning
STS20N3LLH6 Leverantör
STS20N3LLH6 Distributör
STS20N3LLH6 Datatabell
STS20N3LLH6 Foton
STS20N3LLH6 Pris
STS20N3LLH6 Erbjudande
STS20N3LLH6 Lägsta pris
STS20N3LLH6 Sök
STS20N3LLH6 Köp av
STS20N3LLH6 Chip