STP8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
Artikelnummer
STP8N120K5
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ K5
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
130W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
505pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40241 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STP8N120K5
STP8N120K5 Elektroniska komponenter
STP8N120K5 Försäljning
STP8N120K5 Leverantör
STP8N120K5 Distributör
STP8N120K5 Datatabell
STP8N120K5 Foton
STP8N120K5 Pris
STP8N120K5 Erbjudande
STP8N120K5 Lägsta pris
STP8N120K5 Sök
STP8N120K5 Köp av
STP8N120K5 Chip