STP80N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Artikelnummer
STP80N10F7
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VII
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10434 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STP80N10F7
STP80N10F7 Elektroniska komponenter
STP80N10F7 Försäljning
STP80N10F7 Leverantör
STP80N10F7 Distributör
STP80N10F7 Datatabell
STP80N10F7 Foton
STP80N10F7 Pris
STP80N10F7 Erbjudande
STP80N10F7 Lägsta pris
STP80N10F7 Sök
STP80N10F7 Köp av
STP80N10F7 Chip