STP30NM30N
MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
Artikelnummer
STP30NM30N
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ II
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
160W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22867 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STP30NM30N
STP30NM30N Elektroniska komponenter
STP30NM30N Försäljning
STP30NM30N Leverantör
STP30NM30N Distributör
STP30NM30N Datatabell
STP30NM30N Foton
STP30NM30N Pris
STP30NM30N Erbjudande
STP30NM30N Lägsta pris
STP30NM30N Sök
STP30NM30N Köp av
STP30NM30N Chip