STP12NK80Z
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
Artikelnummer
STP12NK80Z
Tillverkare/varumärke
Serier
SuperMESH™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42948 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STP12NK80Z
STP12NK80Z Elektroniska komponenter
STP12NK80Z Försäljning
STP12NK80Z Leverantör
STP12NK80Z Distributör
STP12NK80Z Datatabell
STP12NK80Z Foton
STP12NK80Z Pris
STP12NK80Z Erbjudande
STP12NK80Z Lägsta pris
STP12NK80Z Sök
STP12NK80Z Köp av
STP12NK80Z Chip