STP10LN80K5
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
Artikelnummer
STP10LN80K5
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
630 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
427pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52041 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STP10LN80K5
STP10LN80K5 Elektroniska komponenter
STP10LN80K5 Försäljning
STP10LN80K5 Leverantör
STP10LN80K5 Distributör
STP10LN80K5 Datatabell
STP10LN80K5 Foton
STP10LN80K5 Pris
STP10LN80K5 Erbjudande
STP10LN80K5 Lägsta pris
STP10LN80K5 Sök
STP10LN80K5 Köp av
STP10LN80K5 Chip