STI34N65M5
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
Artikelnummer
STI34N65M5
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ V
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Leverantörsenhetspaket
I2PAKFP (TO-281)
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10955 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STI34N65M5
STI34N65M5 Elektroniska komponenter
STI34N65M5 Försäljning
STI34N65M5 Leverantör
STI34N65M5 Distributör
STI34N65M5 Datatabell
STI34N65M5 Foton
STI34N65M5 Pris
STI34N65M5 Erbjudande
STI34N65M5 Lägsta pris
STI34N65M5 Sök
STI34N65M5 Köp av
STI34N65M5 Chip