STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Artikelnummer
STH3N150-2
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerMESH™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Leverantörsenhetspaket
H²PAK
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
939pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11948 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STH3N150-2
STH3N150-2 Elektroniska komponenter
STH3N150-2 Försäljning
STH3N150-2 Leverantör
STH3N150-2 Distributör
STH3N150-2 Datatabell
STH3N150-2 Foton
STH3N150-2 Pris
STH3N150-2 Erbjudande
STH3N150-2 Lägsta pris
STH3N150-2 Sök
STH3N150-2 Köp av
STH3N150-2 Chip