STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Artikelnummer
STH310N10F7-6
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VII
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
H2PAK-6
Effektförlust (max)
315W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11061 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STH310N10F7-6
STH310N10F7-6 Elektroniska komponenter
STH310N10F7-6 Försäljning
STH310N10F7-6 Leverantör
STH310N10F7-6 Distributör
STH310N10F7-6 Datatabell
STH310N10F7-6 Foton
STH310N10F7-6 Pris
STH310N10F7-6 Erbjudande
STH310N10F7-6 Lägsta pris
STH310N10F7-6 Sök
STH310N10F7-6 Köp av
STH310N10F7-6 Chip