STH110N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Artikelnummer
STH110N10F7-6
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VII
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
H2PAK-6
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5117pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22969 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STH110N10F7-6
STH110N10F7-6 Elektroniska komponenter
STH110N10F7-6 Försäljning
STH110N10F7-6 Leverantör
STH110N10F7-6 Distributör
STH110N10F7-6 Datatabell
STH110N10F7-6 Foton
STH110N10F7-6 Pris
STH110N10F7-6 Erbjudande
STH110N10F7-6 Lägsta pris
STH110N10F7-6 Sök
STH110N10F7-6 Köp av
STH110N10F7-6 Chip