STGW10M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Artikelnummer
STGW10M65DF2
Tillverkare/varumärke
Serier
M
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Effekt - Max
115W
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Omvänd återhämtningstid (trr)
96ns
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
20A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
650V
IGBT typ
Trench Field Stop
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
40A
Energiövergång
120µJ (on), 270µJ (off)
Gateavgifter
28nC
BP (på/av) vid 25°C
19ns/91ns
Konditionstest
400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54816 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STGW10M65DF2
STGW10M65DF2 Elektroniska komponenter
STGW10M65DF2 Försäljning
STGW10M65DF2 Leverantör
STGW10M65DF2 Distributör
STGW10M65DF2 Datatabell
STGW10M65DF2 Foton
STGW10M65DF2 Pris
STGW10M65DF2 Erbjudande
STGW10M65DF2 Lägsta pris
STGW10M65DF2 Sök
STGW10M65DF2 Köp av
STGW10M65DF2 Chip