STF6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
Artikelnummer
STF6N65M2
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220FP
Effektförlust (max)
20W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
226pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33727 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STF6N65M2
STF6N65M2 Elektroniska komponenter
STF6N65M2 Försäljning
STF6N65M2 Leverantör
STF6N65M2 Distributör
STF6N65M2 Datatabell
STF6N65M2 Foton
STF6N65M2 Pris
STF6N65M2 Erbjudande
STF6N65M2 Lägsta pris
STF6N65M2 Sök
STF6N65M2 Köp av
STF6N65M2 Chip