STD80N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Artikelnummer
STD80N10F7
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VII
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
85W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15095 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STD80N10F7
STD80N10F7 Elektroniska komponenter
STD80N10F7 Försäljning
STD80N10F7 Leverantör
STD80N10F7 Distributör
STD80N10F7 Datatabell
STD80N10F7 Foton
STD80N10F7 Pris
STD80N10F7 Erbjudande
STD80N10F7 Lägsta pris
STD80N10F7 Sök
STD80N10F7 Köp av
STD80N10F7 Chip