STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Artikelnummer
STD100N10F7
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VII
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4369pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22475 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STD100N10F7
STD100N10F7 Elektroniska komponenter
STD100N10F7 Försäljning
STD100N10F7 Leverantör
STD100N10F7 Distributör
STD100N10F7 Datatabell
STD100N10F7 Foton
STD100N10F7 Pris
STD100N10F7 Erbjudande
STD100N10F7 Lägsta pris
STD100N10F7 Sök
STD100N10F7 Köp av
STD100N10F7 Chip