STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Artikelnummer
STB200N6F3
Tillverkare/varumärke
Serier
STripFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
330W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31240 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STB200N6F3
STB200N6F3 Elektroniska komponenter
STB200N6F3 Försäljning
STB200N6F3 Leverantör
STB200N6F3 Distributör
STB200N6F3 Datatabell
STB200N6F3 Foton
STB200N6F3 Pris
STB200N6F3 Erbjudande
STB200N6F3 Lägsta pris
STB200N6F3 Sök
STB200N6F3 Köp av
STB200N6F3 Chip