STB12NM50ND
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Artikelnummer
STB12NM50ND
Tillverkare/varumärke
Serier
FDmesh™ II
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20085 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STB12NM50ND
STB12NM50ND Elektroniska komponenter
STB12NM50ND Försäljning
STB12NM50ND Leverantör
STB12NM50ND Distributör
STB12NM50ND Datatabell
STB12NM50ND Foton
STB12NM50ND Pris
STB12NM50ND Erbjudande
STB12NM50ND Lägsta pris
STB12NM50ND Sök
STB12NM50ND Köp av
STB12NM50ND Chip