STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Artikelnummer
STB100N10F7
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VII
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4369pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19426 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STB100N10F7
STB100N10F7 Elektroniska komponenter
STB100N10F7 Försäljning
STB100N10F7 Leverantör
STB100N10F7 Distributör
STB100N10F7 Datatabell
STB100N10F7 Foton
STB100N10F7 Pris
STB100N10F7 Erbjudande
STB100N10F7 Lägsta pris
STB100N10F7 Sök
STB100N10F7 Köp av
STB100N10F7 Chip