STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Artikelnummer
STB11NM80T4
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
43.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52063 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STB11NM80T4
STB11NM80T4 Elektroniska komponenter
STB11NM80T4 Försäljning
STB11NM80T4 Leverantör
STB11NM80T4 Distributör
STB11NM80T4 Datatabell
STB11NM80T4 Foton
STB11NM80T4 Pris
STB11NM80T4 Erbjudande
STB11NM80T4 Lägsta pris
STB11NM80T4 Sök
STB11NM80T4 Köp av
STB11NM80T4 Chip