SCT2160KEC
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Artikelnummer
SCT2160KEC
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
165W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
208 mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 800V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
Vgs (max)
+22V, -6V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9234 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SCT2160KEC
SCT2160KEC Elektroniska komponenter
SCT2160KEC Försäljning
SCT2160KEC Leverantör
SCT2160KEC Distributör
SCT2160KEC Datatabell
SCT2160KEC Foton
SCT2160KEC Pris
SCT2160KEC Erbjudande
SCT2160KEC Lägsta pris
SCT2160KEC Sök
SCT2160KEC Köp av
SCT2160KEC Chip