SCH2080KEC
MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Artikelnummer
SCH2080KEC
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
262W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
117 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4.4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 800V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
Vgs (max)
+22V, -6V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10040 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SCH2080KEC
SCH2080KEC Elektroniska komponenter
SCH2080KEC Försäljning
SCH2080KEC Leverantör
SCH2080KEC Distributör
SCH2080KEC Datatabell
SCH2080KEC Foton
SCH2080KEC Pris
SCH2080KEC Erbjudande
SCH2080KEC Lägsta pris
SCH2080KEC Sök
SCH2080KEC Köp av
SCH2080KEC Chip