RUF020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Artikelnummer
RUF020N02TL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-SMD, Flat Leads
Leverantörsenhetspaket
TUMT3
Effektförlust (max)
320mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36701 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RUF020N02TL
RUF020N02TL Elektroniska komponenter
RUF020N02TL Försäljning
RUF020N02TL Leverantör
RUF020N02TL Distributör
RUF020N02TL Datatabell
RUF020N02TL Foton
RUF020N02TL Pris
RUF020N02TL Erbjudande
RUF020N02TL Lägsta pris
RUF020N02TL Sök
RUF020N02TL Köp av
RUF020N02TL Chip