RSD131P10TL
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
Artikelnummer
RSD131P10TL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
CPT3
Effektförlust (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49589 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RSD131P10TL
RSD131P10TL Elektroniska komponenter
RSD131P10TL Försäljning
RSD131P10TL Leverantör
RSD131P10TL Distributör
RSD131P10TL Datatabell
RSD131P10TL Foton
RSD131P10TL Pris
RSD131P10TL Erbjudande
RSD131P10TL Lägsta pris
RSD131P10TL Sök
RSD131P10TL Köp av
RSD131P10TL Chip