köpa Rohm Semiconductor RS1P600BETB1 RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

RS1P600BETB1

RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Artikelnummer

RS1P600BETB1

Tillverkare/varumärke

Rohm Semiconductor

Sektionsstatus

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

8-PowerTDFN

Leverantörsenhetspaket

8-HSOP

Effektförlust (max)

3W (Ta), 35W (Tc)

FET typ

N-Channel

Dränera till spänningskälla (Vdss)

100V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

17.5A (Ta), 60A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

9.7 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V

Vgs (max)

±20V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 9493 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

RS1P600BETB1

RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Rohm Semiconductor

RS1P600BETB1

RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Rohm Semiconductor

RS1P600BETB1

RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Rohm Semiconductor