RRS110N03TB1
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Artikelnummer
RRS110N03TB1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOP
Effektförlust (max)
2W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25058 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RRS110N03TB1
RRS110N03TB1 Elektroniska komponenter
RRS110N03TB1 Försäljning
RRS110N03TB1 Leverantör
RRS110N03TB1 Distributör
RRS110N03TB1 Datatabell
RRS110N03TB1 Foton
RRS110N03TB1 Pris
RRS110N03TB1 Erbjudande
RRS110N03TB1 Lägsta pris
RRS110N03TB1 Sök
RRS110N03TB1 Köp av
RRS110N03TB1 Chip