RQ7E110AJTCR
NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Artikelnummer
RQ7E110AJTCR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
TSMT8
Effektförlust (max)
1.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21937 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR Elektroniska komponenter
RQ7E110AJTCR Försäljning
RQ7E110AJTCR Leverantör
RQ7E110AJTCR Distributör
RQ7E110AJTCR Datatabell
RQ7E110AJTCR Foton
RQ7E110AJTCR Pris
RQ7E110AJTCR Erbjudande
RQ7E110AJTCR Lägsta pris
RQ7E110AJTCR Sök
RQ7E110AJTCR Köp av
RQ7E110AJTCR Chip